7. Má technologie PERC ze své podstaty lepší výkon při slabém osvětlení?
Souběžně s vývojem technologie PERC se na datových listech objevují argumenty týkající se lepšího výkonu při slabém osvětlení. Je tedy legitimní se ptát, zda spolu tyto dvě skutečnosti souvisejí. Je sice pravda, že najdete moduly na bázi PERC se zlepšeným výkonem při slabém světle, ale nemá to vnitřně nic společného s technologií článků PERC. Všechny technologie článků mají potenciál vyznačovat se lepším výkonem při slabém osvětlení a tomuto tématu se budeme věnovat v dalším příspěvku na blogu.
8. Problémy s technologií
Stejně jako u každé nové technologie je i u technologie PERC výzvou schopnost škálovat technologii a zároveň kontrolovat proces. Ve společnosti aleo si vždy ceníme know-how a rozhodně je třeba umět tyto články vyrábět. Mezi výzvami souvisejícími s technologií PERC jsou dvě, které jsou náchylnější k tomu, aby ovlivnily majitele panelu vybaveného touto technologií.
První z nich se týká světlem indukované degradace. LID je tento efekt, který způsobuje, že modul po prvním vystavení světlu ztrácí určité procento svého výkonu. To vysvětluje, proč výrobci s lineární zárukou nikdy negarantují 100 % výkonu po prvním roce. Vzhledem k vyšším úrovním dopování, které se běžně používají v článcích PERC, se negativní efekt způsobený LID u technologie PERC zvyšuje ve srovnání se standardními články s Al-BSF.
Existuje také téma kolem Potential Induced Degradation. Existuje řada článků a publikací, které se touto otázkou zabývají, a to zejména v případě polykrystalických PERC. Není to triviální, pokud tento druh vady může zcela poškodit výkony elektrárny. Nejlepším doporučením, které můžeme v souvislosti s touto problematikou udělat, je ujistit se, že vámi dodávané moduly mají udělen certifikát podle normy IEC TS 62804 na odolnost proti PID a že existuje důvěra v důslednost, kterou výrobce uplatňuje při výběru materiálů a procesů, aby zajistil, že jeho výroba bude bez PID.
Zdroje
: A.W.Blakers, A.Wang, A.M.Milne, J.Zhao, M.A.Green, 22.8%Efficient Silicon Solar Cell, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1363-1365.
: Zhao J; Wang A; Keevers MJ; Green MA, 2000, High efficiency PERT cells on SEH p-type Si substrates and PERT cells on SHE n-type Si substrates
: Green M.A., The Passivated Emitter and Rear Cell(PERC):From conception to mass production, Solar Energy Materials & Solar Cells 143 (2015) 190-197
: M.A. Green, Forty Years of Photovoltaic Research at UNSW, Journal and Proceedings of the Royal Society of New South Wales, sv. 148, č. 455 & 456, s. 2-14