7. Onko PERC-teknologialla luonnostaan parempi suorituskyky heikossa valossa?
Rinnakkain PERC-teknologian kehityksen kanssa olemme nähneet datalehtien sisältävän väitteitä paremmasta suorituskyvystä heikossa valossa. On siis perusteltua pohtia, liittyvätkö nämä kaksi seikkaa toisiinsa. Vaikka onkin totta, että löytyy PERC-pohjaisia moduuleja, joilla on parempi suorituskyky heikossa valossa, sillä ei ole mitään tekemistä PERC-kennoteknologian kanssa. Kaikilla kennotekniikoilla on potentiaalia parempaan suorituskykyyn heikossa valaistuksessa, ja käsittelemme tätä aihetta seuraavassa blogikirjoituksessa.
8. Teknologian haasteet
Kuten minkä tahansa uuden tekniikan haasteena PERC-teknologian taustalla on teknologian skaalautuminen ja prosessin hallinta. Me aleolla arvostamme aina tietotaitoa, ja on ehdottomasti pystyttävä valmistamaan näitä kennoja. PERC-teknologiaan liittyvistä haasteista kaksi on alttiimpia vaikuttamaan tällä teknologialla varustetun paneelin omistajaan.
Ensimmäinen liittyy valon aiheuttamaan hajoamiseen. LID on tämä vaikutus, joka saa moduulin menettämään osan tehostaan sen jälkeen, kun se on ensimmäisen kerran altistunut valolle. Se selittää, miksi valmistajat, joilla on lineaarinen takuu, eivät koskaan takaa 100 prosentin tehoa ensimmäisen vuoden jälkeen. PERC-kennoissa yleisesti käytettyjen korkeampien doping-tasojen vuoksi LID:n aiheuttama negatiivinen vaikutus kasvaa PERC-teknologiassa verrattuna tavallisiin kennoihin, joissa on Al-BSF.
Potentiaalin aiheuttamaa hajoamista koskeva aihe on myös olemassa. Tätä kysymystä on käsitelty lukuisissa julkaisuissa ja artikkeleissa, erityisesti monikiteisten PERC-kennojen osalta. Asia ei ole sikäli triviaali, että tällainen vika voi vahingoittaa täysin voimalaitoksen suorituskykyä. Paras suositus, jonka voimme tehdä tämän kysymyksen osalta, on varmistaa, että toimittamillenne moduuleille on myönnetty IEC TS 62804:n mukainen sertifikaatti PID-kestävyyden osalta ja että luotamme siihen, että valmistaja noudattaa johdonmukaisuutta materiaalivalinnoissaan ja prosesseissaan varmistaakseen, että tuotanto on PID-vapaata.
Lähteet
: A.W.Blakers, A.Wang, A.M.Milne, J.Zhao, M.A.Green, 22.8%Efficient Silicon Solar Cell, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1363-1365.
: Zhao J; Wang A; Keevers MJ; Green MA, 2000, Korkean hyötysuhteen PERT-kennot SEH p-tyypin Si-alustoilla ja PERT-kennot SHE n-tyypin Si-alustoilla
: M.A. Green, The Passivated Emitter and Rear Cell(PERC): From conception to mass production, Solar Energy Materials & Solar Cells 143 (2015) 190-197
: M.A. Green, Forty Years of Photovoltaic Research at UNSW, Journal and Proceedings of the Royal Society of New South Wales, vol. 148, nos. 455 & 456, pp. 2-14
.