7. Czy technologia PERC z natury charakteryzuje się lepszym działaniem w słabym świetle?
Wraz z rozwojem technologii PERC, na kartach katalogowych pojawiają się argumenty związane z lepszym działaniem w słabym świetle. Zasadne jest więc zastanawianie się, czy te dwa fakty są ze sobą powiązane. Choć prawdą jest, że można znaleźć moduły oparte na PERC z poprawioną wydajnością przy słabym świetle, nie ma to nic wspólnego z samą technologią ogniw PERC. Wszystkie technologie ogniw mają potencjał, aby charakteryzować się lepszą wydajnością w warunkach słabego oświetlenia, a my zajmiemy się tym tematem w kolejnym wpisie na blogu.
8. Wyzwania związane z technologią
Jak w przypadku każdej nowej technologii, wyzwaniem stojącym za technologią PERC jest możliwość skalowania technologii przy jednoczesnej kontroli procesu. W aleo zawsze cenimy sobie know-how i na pewno jest nim możliwość produkcji tych ogniw. Wśród wyzwań związanych z technologią PERC, dwa są bardziej podatne na wpływ na właściciela panelu wyposażonego w tę technologię.
Pierwszy z nich jest związany z Light Induced Degradation. LID to efekt, który powoduje, że moduł traci pewien procent swojej mocy po pierwszej ekspozycji na światło. To wyjaśnia, dlaczego producenci z liniowymi gwarancjami nigdy nie gwarantują 100% mocy po pierwszym roku. Ze względu na wyższe poziomy domieszkowania powszechnie stosowane w ogniwach PERC, negatywny efekt spowodowany LID jest zwiększony w technologii PERC w porównaniu do standardowych ogniw z Al-BSF.
Jest też temat wokół Potential Induced Degradation. Pojawiły się liczne prace i artykuły poruszające tę kwestię, szczególnie w przypadku polikrystalicznych PERC. Nie jest to sprawa trywialna, ponieważ tego typu defekt może całkowicie zniszczyć wydajność elektrowni. Najlepszym zaleceniem, jakie możemy zrobić w tej kwestii, jest upewnienie się, że dostarczane moduły posiadają certyfikat zgodności z IEC TS 62804 na odporność na PID i że istnieje zaufanie do konsekwencji, jaką producent stosuje przy wyborze materiałów i procesów, aby zapewnić, że jego produkcja jest wolna od PID.
Źródła
: A.W.Blakers, A.Wang, A.M.Milne, J.Zhao, M.A.Green, 22.8%Efficient Silicon Solar Cell, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1363-1365.
: Zhao J; Wang A; Keevers MJ; Green MA, 2000, High efficiency PERT cells on SEH p-type Si substrates and PERT cells on SHE n-type Si substrates
: M.A. Green, The Passivated Emitter and Rear Cell(PERC):From conception to mass production, Solar Energy Materials & Solar Cells 143 (2015) 190-197
: M.A. Green, Forty Years of Photovoltaic Research at UNSW, Journal and Proceedings of the Royal Society of New South Wales, vol. 148, nr 455 & 456, s. 2-14
.