A corrente de saturação (ou corrente de escala), mais precisamente a corrente de saturação inversa, é aquela parte da corrente inversa num díodo semicondutor causada pela difusão de portadores minoritários das regiões neutras para a região de depleção. Esta corrente é quase independente da tensão reversa. (Steadman 1993, 459)
IS, a corrente de saturação de polarização inversa para um diodo p-n ideal, é dada por (Schubert 2006, 61):
I S = e A n i 2 ( 1 N D D p τ p + 1 N A D n τ n ) , I_textos de exibição {\i}=An_textos {\i} {\i}{2}esquerda(1}{N_textos {D}}}}{\i} {D_frac {\i}}{D_textos {p Tradução: Equipa PT-Subs\, “D_texto” “D_texto” “D_texto” “D_texto” “D_texto” “D_texto” “D_texto” “D_texto” “D_texto” “D_texto” “D_texto” “N_texto” “A}}}}” “A}}}}” “D_texto” “Frac\A é a área da secção transversal Dp, Dn são os coeficientes de difusão dos furos e electrões, respectivamente, ND, NA são as concentrações do doador e do aceitador no lado n e no lado p, respectivamente, ni é a concentração portadora intrínseca no material semicondutor, τ p , τ n n {\an832> são os tempos de vida útil dos furos e electrões, respectivamente.
Aumento no viés inverso não permite que a maioria dos portadores de carga se difunda através da junção. No entanto, este potencial ajuda alguns portadores de cargas minoritárias a atravessar a junção. Como os portadores de cargas minoritárias na n-região e p-região são produzidos por pares de furos de elétrons gerados termicamente, esses portadores de cargas minoritárias são extremamente dependentes da temperatura e independentes da tensão de polarização aplicada. A tensão de polarização aplicada atua como uma tensão de polarização progressiva para estes portadores de cargas minoritárias e uma corrente de pequena magnitude flui no circuito externo no sentido oposto ao da corrente convencional devido ao momento dos portadores de cargas majoritárias.
Note que a corrente de saturação não é uma constante para um determinado dispositivo; ela varia com a temperatura; esta variação é o termo dominante no coeficiente de temperatura para um diodo. Uma regra comum é que ela duplica para cada 10 °C de aumento de temperatura. (Bogart 1986, 40)